casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIE812DF-T1-E3
Número da peça de fabricante | SIE812DF-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SIE812DF-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIE812DF-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8300pF @ 20V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 10-PolarPAK® (L) |
Pacote / caso | 10-PolarPAK® (L) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE812DF-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIE812DF-T1-E3-FT |
SIA811DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA814DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA850DJ-T1-GE3
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SIHS20N50C-E3
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SIHS90N65E-E3
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SIHW61N65EF-GE3
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SIA427DJ-T1-GE3
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LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel