casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIE810DF-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIE810DF-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIE810DF-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIE810DF-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 10-PolarPAK® (L) |
Pacote / caso | 10-PolarPAK® (L) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE810DF-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIE810DF-T1-GE3-FT |
SIA811DJ-T1-E3
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