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Infineon Technologies SIDC23D120H8X1SA1
- Número da peça MFG
- SIDC23D120H8X1SA1
- Quantidade disponível
- 95350 Peças
- Preço de referência
- USD 3.072
- Nosso preço
- Temos um grande desconto, entre em contato conosco
- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Infineon Technologies
- Descrição breve
- - DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Diodos - Retificadores - Solteiro
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- SIDC23D120H8X1SA1.pdf
SIDC23D120H8X1SA1 Especificações
| Número da peça de fabricante | SIDC23D120H8X1SA1 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-SIDC23D120H8X1SA1 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| SIDC23D120H8X1SA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de Diodo | Standard |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 35A (DC) |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.97V @ 35A |
| Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 27µA @ 1200V |
| Capacitância @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | Die |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Sawn on foil |
| Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 175°C |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIDC23D120H8X1SA1 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | SIDC23D120H8X1SA1-FT |
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