casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SICRD6650TR
Número da peça de fabricante | SICRD6650TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-SICRD6650TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SICRD6650TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Atual - Média Retificada (Io) | 6A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 6A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 650V |
Capacitância @ Vr, F | 150pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SICRD6650TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SICRD6650TR-FT |
VS-8EWS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS16S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS16SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS16STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel