casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SICRB10650CTTR
Número da peça de fabricante | SICRB10650CTTR |
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Número da peça futura | FT-SICRB10650CTTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SICRB10650CTTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Atual - Média Retificada (Io) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 60µA @ 650V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SICRB10650CTTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SICRB10650CTTR-FT |
R9G00222XX
Powerex Inc.
R9G00412XX
Powerex Inc.
R9G00418XX
Powerex Inc.
R9G00422XX
Powerex Inc.
R9G00612XX
Powerex Inc.
R9G00618XX
Powerex Inc.
R9G00622XX
Powerex Inc.
R9G00812XX
Powerex Inc.
R9G00818XX
Powerex Inc.
R9G00822XX
Powerex Inc.
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel