casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SICRB10650CTTR
Número da peça de fabricante | SICRB10650CTTR |
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Número da peça futura | FT-SICRB10650CTTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SICRB10650CTTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Atual - Média Retificada (Io) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 60µA @ 650V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SICRB10650CTTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SICRB10650CTTR-FT |
R9G00222XX
Powerex Inc.
R9G00412XX
Powerex Inc.
R9G00418XX
Powerex Inc.
R9G00422XX
Powerex Inc.
R9G00612XX
Powerex Inc.
R9G00618XX
Powerex Inc.
R9G00622XX
Powerex Inc.
R9G00812XX
Powerex Inc.
R9G00818XX
Powerex Inc.
R9G00822XX
Powerex Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel