casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / SICRB101200TR
Número da peça de fabricante | SICRB101200TR |
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Número da peça futura | FT-SICRB101200TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SICRB101200TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | 640pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SICRB101200TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SICRB101200TR-FT |
R9G00218XX
Powerex Inc.
R9G00222XX
Powerex Inc.
R9G00412XX
Powerex Inc.
R9G00418XX
Powerex Inc.
R9G00422XX
Powerex Inc.
R9G00612XX
Powerex Inc.
R9G00618XX
Powerex Inc.
R9G00622XX
Powerex Inc.
R9G00812XX
Powerex Inc.
R9G00818XX
Powerex Inc.
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
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Lattice Semiconductor Corporation
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