casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIB437EDKT-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIB437EDKT-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIB437EDKT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIB437EDKT-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 8V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® TSC75-6 |
Pacote / caso | PowerPAK® TSC-75-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIB437EDKT-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIB437EDKT-T1-GE3-FT |
PMV160UPVL
Nexperia USA Inc.
PMV30UN2VL
Nexperia USA Inc.
PMV45EN2VL
Nexperia USA Inc.
PMV48XPVL
Nexperia USA Inc.
PMV50UPEVL
Nexperia USA Inc.
PMV65XPVL
Nexperia USA Inc.
PMZ420UNYL
Nexperia USA Inc.
PSMN012-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN018-100ESFQ
Nexperia USA Inc.
PSMN018-100PSFQ
Nexperia USA Inc.
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation