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Vishay Siliconix SIAA00DJ-T1-GE3

Número da peça MFG
SIAA00DJ-T1-GE3
Quantidade disponível
10300 Peças
Preço de referência
USD 0.2472
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CHAN 25V
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SIAA00DJ-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SIAA00DJ-T1-GE3
Número da peça futura FT-SIAA00DJ-T1-GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchFET® Gen IV
SIAA00DJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 20.1A (Ta), 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Vgs (máx.) +16V, -12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1090pF @ 12.5V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PowerPAK® SC-70-6 Single
Pacote / caso PowerPAK® SC-70-6
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIAA00DJ-T1-GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SIAA00DJ-T1-GE3-FT

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