casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SIA936EDJ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA936EDJ-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SIA936EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIA936EDJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 7.8W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA936EDJ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA936EDJ-T1-GE3-FT |
SP8M8FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M8TB
Rohm Semiconductor
SP8M9FU6TB
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SQ4284EY-T1_GE3
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XC6SLX9-L1TQG144I
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A54SX08A-2TQ144
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LCMXO3LF-2100C-6BG324I
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EP1SGX10DF672C6
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EP4CE15F23C6N
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