casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SIA911EDJ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA911EDJ-T1-GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SIA911EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SIA911EDJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 7.8W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA911EDJ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA911EDJ-T1-GE3-FT |
SP8K5TB
Rohm Semiconductor
SP8M10FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M10TB
Rohm Semiconductor
SP8M2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M3TB
Rohm Semiconductor
SP8M4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M51TB1
Rohm Semiconductor
SP8M5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M5TB
Rohm Semiconductor
LCMXO2-640HC-4TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN030V2-ZUCG81I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1N
Intel
EPF10K200SFC672-2
Intel
EP3C5F256C7N
Intel
5SGXMA5N3F40C2N
Intel
LCMXO2-4000ZE-3FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7N
Intel
EP20K200EQC208-2
Intel