casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA485DJ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SIA485DJ-T1-GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SIA485DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SIA485DJ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 155pF @ 75V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 15.6W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacote / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA485DJ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SIA485DJ-T1-GE3-FT |
SI4866BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4876DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4876DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4880DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4880DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4884BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4886DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4886DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4888DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4888DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel