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Vishay Siliconix SI8481DB-T1-E1

Número da peça MFG
SI8481DB-T1-E1
Quantidade disponível
32400 Peças
Preço de referência
USD 0.134816
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
TrenchFET® Gen III MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SI8481DB-T1-E1 Especificações

Número da peça de fabricante SI8481DB-T1-E1
Número da peça futura FT-SI8481DB-T1-E1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchFET® Gen III
SI8481DB-T1-E1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 9.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 10V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2.8W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Pacote / caso 4-UFBGA
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI8481DB-T1-E1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SI8481DB-T1-E1-FT

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