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Vishay Siliconix SI7960DP-T1-GE3

Name: SI7960DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7960DP-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.9 (341 reviews)

Número da peça MFG: SI7960DP-T1-GE3

Quantidade disponível: 60940 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SI7960DP-T1-GE3.pdf

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SI7960DP-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante	SI7960DP-T1-GE3
Número da peça futura	FT-SI7960DP-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET®
SI7960DP-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potência - Max	1.4W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PowerPAK® SO-8 Dual
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI7960DP-T1-GE3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SI7960DP-T1-GE3-FT

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