casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7655ADN-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI7655ADN-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI7655ADN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI7655ADN-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
Temperatura de operação | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7655ADN-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI7655ADN-T1-GE3-FT |
SIHP10N40D-E3
Vishay Siliconix
SIHP10N40D-GE3
Vishay Siliconix
SIHP14N50D-GE3
Vishay Siliconix
SIHFB11N50A-E3
Vishay Siliconix
SIHFB20N50K-E3
Vishay Siliconix
SIHP050N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP100N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP120N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP12N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHP12N60E-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel