casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7430DP-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI7430DP-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI7430DP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SI7430DP-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1735pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 5.2W (Ta), 64W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
Pacote / caso | PowerPAK® SO-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7430DP-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI7430DP-T1-E3-FT |
SI7155DP-T1-GE3
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XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel