casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7374DP-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI7374DP-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI7374DP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI7374DP-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 23.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 5W (Ta), 56W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® SO-8 |
Pacote / caso | PowerPAK® SO-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7374DP-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI7374DP-T1-E3-FT |
SIR608DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR622DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA28BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR800ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7454DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7456DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7469DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7858ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7858ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7862ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel