casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7111EDN-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI7111EDN-T1-GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SI7111EDN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® Gen III |
SI7111EDN-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.55 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 2.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5860pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 52W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® 1212-8 |
Pacote / caso | PowerPAK® 1212-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7111EDN-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI7111EDN-T1-GE3-FT |
SQA401EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA405EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA410EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA442EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA470EEJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA470EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI5429DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5857DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5857DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5858DU-T1-E3
Vishay Siliconix
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel