casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7106DN-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI7106DN-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI7106DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI7106DN-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerPAK® 1212-8 |
Pacote / caso | PowerPAK® 1212-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7106DN-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI7106DN-T1-E3-FT |
SIHB065N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB15N50E-GE3
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SIHB15N65E-GE3
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SIHB20N50E-GE3
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SIHB21N60EF-GE3
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SIHB22N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60ET5-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60S-GE3
Vishay Siliconix
SIHB23N60E-GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150T-2CSG484I
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M2GL010-FGG484I
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A54SX32A-CQ256M
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A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
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5SGXMA9N2F45C2LN
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XC7VX690T-1FF1157I
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XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.