casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI6466ADQ-T1-GE3

| Número da peça de fabricante | SI6466ADQ-T1-GE3 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-SI6466ADQ-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | TrenchFET® |
| SI6466ADQ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 5V |
| Vgs (máx.) | ±8V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.05W (Ta) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TSSOP |
| Pacote / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SI6466ADQ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | SI6466ADQ-T1-GE3-FT |

SPB80N06S2-08
Infineon Technologies

SPB80N06S2-09
Infineon Technologies

SPB80N06S2-H5
Infineon Technologies

SPB80N06S2L-05
Infineon Technologies

SPB80N06S2L-06
Infineon Technologies

SPB80N06S2L-07
Infineon Technologies

SPB80N06S2L-09
Infineon Technologies

SPB80N06S2L-11
Infineon Technologies

SPB80N06S2L-H5
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SPB80N08S2-07
Infineon Technologies

LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation

XC3S1400AN-4FGG484C
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10M08DCF484C8G
Intel

5SGXMB5R3F43C3N
Intel

5SGXMA7H3F35I3
Intel

LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation

5AGTFC7H3F35I3G
Intel

EP1C4F400C8
Intel

EP20K200EBC356-1
Intel