casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI6463BDQ-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI6463BDQ-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI6463BDQ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI6463BDQ-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.2A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.05W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TSSOP |
Pacote / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6463BDQ-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI6463BDQ-T1-E3-FT |
SPB80N04S2-H4
Infineon Technologies
SPB80N04S2L-03
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SPB80N06S08ATMA1
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SPB80N06S2-05
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SPB80N06S2-07
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SPB80N06S2-08
Infineon Technologies
SPB80N06S2-09
Infineon Technologies
SPB80N06S2-H5
Infineon Technologies
SPB80N06S2L-05
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SPB80N06S2L-06
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A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
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EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel