casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI6459BDQ-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI6459BDQ-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI6459BDQ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI6459BDQ-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TSSOP |
Pacote / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6459BDQ-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI6459BDQ-T1-E3-FT |
SPB80N03S2L06T
Infineon Technologies
SPB80N04S2-04
Infineon Technologies
SPB80N04S2-H4
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SPB80N06S08ATMA1
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SPB80N06S2-05
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SPB80N06S2-07
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SPB80N06S2-08
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SPB80N06S2-09
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SPB80N06S2-H5
Infineon Technologies
LFXP3C-4T144I
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A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
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10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation