casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI6459BDQ-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI6459BDQ-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI6459BDQ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI6459BDQ-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TSSOP |
Pacote / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6459BDQ-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI6459BDQ-T1-E3-FT |
SPB80N03S2L06T
Infineon Technologies
SPB80N04S2-04
Infineon Technologies
SPB80N04S2-H4
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SPB80N04S2L-03
Infineon Technologies
SPB80N06S08ATMA1
Infineon Technologies
SPB80N06S2-05
Infineon Technologies
SPB80N06S2-07
Infineon Technologies
SPB80N06S2-08
Infineon Technologies
SPB80N06S2-09
Infineon Technologies
SPB80N06S2-H5
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel