casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI6410DQ-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI6410DQ-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI6410DQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI6410DQ-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | - |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TSSOP |
Pacote / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6410DQ-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI6410DQ-T1-GE3-FT |
SPB80N03S2L-03 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-04
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-04 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-05
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-05 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-06
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-06 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L05T
Infineon Technologies
SPB80N03S2L06T
Infineon Technologies
SPB80N04S2-04
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
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5CGXFC9E7F35C8N
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