casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI5855DC-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI5855DC-T1-E3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SI5855DC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI5855DC-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipação de energia (máx.) | 1.1W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1206-8 ChipFET™ |
Pacote / caso | 8-SMD, Flat Lead |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5855DC-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI5855DC-T1-E3-FT |
IRF610L
Vishay Siliconix
IRF614L
Vishay Siliconix
IRF620L
Vishay Siliconix
IRF624L
Vishay Siliconix
IRF630L
Vishay Siliconix
IRF634L
Vishay Siliconix
IRF634NLPBF
Vishay Siliconix
IRF640L
Vishay Siliconix
IRF640LPBF
Vishay Siliconix
IRF644L
Vishay Siliconix