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Vishay Siliconix SI5515CDC-T1-GE3

Número da peça MFG
SI5515CDC-T1-GE3
Quantidade disponível
50190 Peças
Preço de referência
USD 0.28476
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
TrenchFET® MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SI5515CDC-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SI5515CDC-T1-GE3
Número da peça futura FT-SI5515CDC-T1-GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchFET®
SI5515CDC-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N and P-Channel
Recurso FET Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 632pF @ 10V
Potência - Max 3.1W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 1206-8 ChipFET™
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5515CDC-T1-GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SI5515CDC-T1-GE3-FT

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