casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI5515CDC-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI5515CDC-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI5515CDC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI5515CDC-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 632pF @ 10V |
Potência - Max | 3.1W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1206-8 ChipFET™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5515CDC-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI5515CDC-T1-E3-FT |
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Microsemi Corporation
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XC4013XL-3BG256C
Xilinx Inc.
XC3030-100PC68C
Xilinx Inc.
A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation