casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI5404BDC-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI5404BDC-T1-GE3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SI5404BDC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI5404BDC-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1206-8 ChipFET™ |
Pacote / caso | 8-SMD, Flat Lead |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5404BDC-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI5404BDC-T1-GE3-FT |
SIS780DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA96DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS98DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ7414AENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS401ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS405EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS405ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS423EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS462EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel