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Vishay Siliconix SI4686DY-T1-E3

Name: SI4686DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4686DY-T1-E3
Price: 0.435848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (95 reviews)

Número da peça MFG: SI4686DY-T1-E3

Quantidade disponível: 55260 Peças

Preço de referência: USD 0.435848

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: TrenchFET® MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SI4686DY-T1-E3.pdf

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SI4686DY-T1-E3 Especificações

Número da peça de fabricante	SI4686DY-T1-E3
Número da peça futura	FT-SI4686DY-T1-E3
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchFET®
SI4686DY-T1-E3 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	18.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1220pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3W (Ta), 5.2W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI4686DY-T1-E3 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SI4686DY-T1-E3-FT

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