casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4668DY-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI4668DY-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI4668DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI4668DY-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 16.2A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1654pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4668DY-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4668DY-T1-GE3-FT |
SI4423DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4488DY-T1-E3
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RSH070P05GZETB
Rohm Semiconductor
SI4154DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel