casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4632DY-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI4632DY-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI4632DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SI4632DY-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11175pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4632DY-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4632DY-T1-GE3-FT |
IRF7703TR
Infineon Technologies
IRF7703TRPBF
Infineon Technologies
IRF7704
Infineon Technologies
IRF7704GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7704TR
Infineon Technologies
IRF7704TRPBF
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IRF7705
Infineon Technologies
IRF7705GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7705TR
Infineon Technologies
IRF7705TRPBF
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
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10AX022E3F29I2LG
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