casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI4569DY-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI4569DY-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI4569DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI4569DY-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A, 7.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 20V |
Potência - Max | 3.1W, 3.2W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4569DY-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4569DY-T1-E3-FT |
SH8M3TB1
Rohm Semiconductor
SH8M41TB1
Rohm Semiconductor
SH8M5TB1
Rohm Semiconductor
SI4200DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4554DY-T1-GE3
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SI4816BDY-T1-E3
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SI4909DY-T1-GE3
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SI4922BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC7S100-1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8ES
Intel
5SGXMB6R2F40I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100I
Microsemi Corporation