casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI4511DY-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI4511DY-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI4511DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI4511DY-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A, 4.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 1.1W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4511DY-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4511DY-T1-E3-FT |
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XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
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A3P600-2FG256
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
XC6VLX365T-1FFG1759I
Xilinx Inc.