casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SI4500BDY-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI4500BDY-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI4500BDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI4500BDY-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel, Common Drain |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.6A, 3.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potência - Max | 1.3W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4500BDY-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4500BDY-T1-E3-FT |
SI4925BDY-T1-E3
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5SGXEA7N3F40C4N
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XCKU3P-2FFVD900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6LFN484C
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LCMXO2-1200HC-5MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C6
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