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Infineon Technologies SI4435DYPBF

Name: SI4435DYPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: SI4435DYPBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (258 reviews)

Número da peça MFG: SI4435DYPBF

Quantidade disponível: 68560 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: SI4435DYPBF.pdf

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SI4435DYPBF Especificações

Número da peça de fabricante	SI4435DYPBF
Número da peça futura	FT-SI4435DYPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
SI4435DYPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2320pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI4435DYPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	SI4435DYPBF-FT

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