casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4196DY-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI4196DY-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI4196DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI4196DY-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 8V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta), 4.6W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4196DY-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4196DY-T1-GE3-FT |
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Rohm Semiconductor
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