casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI4176DY-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI4176DY-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI4176DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI4176DY-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4176DY-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI4176DY-T1-E3-FT |
SI4401DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4434DY-T1-E3
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SI4776DY-T1-GE3
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Vishay Siliconix
RSH070P05GZETB
Rohm Semiconductor
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SI4403CDY-T1-GE3
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SI4427BDY-T1-E3
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SI4435DDY-T1-E3
Vishay Siliconix
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel