casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI3467DV-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI3467DV-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI3467DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI3467DV-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.14W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3467DV-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI3467DV-T1-E3-FT |
SI1305DL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1305DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1305EDL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1305EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1307DL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1307DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1307EDL-T1-E3
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SI1307EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1315DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1317DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel