casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI3456CDV-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI3456CDV-T1-E3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-SI3456CDV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI3456CDV-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 6.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3456CDV-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI3456CDV-T1-E3-FT |
SI5463EDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5463EDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5471DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5473DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5473DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5475BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5475BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5475DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5475DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5499DC-T1-E3
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel