casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI3410DV-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI3410DV-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI3410DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI3410DV-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1295pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta), 4.1W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3410DV-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI3410DV-T1-E3-FT |
SI1307EDL-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1307EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1315DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1317DL-T1-GE3
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SI5457DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5441BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5468DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5441BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5424DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5443DC-T1-E3
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel