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Vishay Siliconix SI2327DS-T1-GE3

Número da peça MFG
SI2327DS-T1-GE3
Quantidade disponível
85370 Peças
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USD 0
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
TrenchFET® MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SI2327DS-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SI2327DS-T1-GE3
Número da peça futura FT-SI2327DS-T1-GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchFET®
SI2327DS-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 380mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.35 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 750mW (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2327DS-T1-GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SI2327DS-T1-GE3-FT

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