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Vishay Siliconix SI2323DS-T1-GE3

Número da peça MFG
SI2323DS-T1-GE3
Quantidade disponível
78420 Peças
Preço de referência
USD 0.211832
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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SI2323DS-T1-GE3 Especificações

Número da peça de fabricante SI2323DS-T1-GE3
Número da peça futura FT-SI2323DS-T1-GE3
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchFET®
SI2323DS-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Not For New Designs
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 10V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 750mW (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2323DS-T1-GE3 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição SI2323DS-T1-GE3-FT

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