casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1426DH-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI1426DH-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI1426DH-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1426DH-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-70-6 (SOT-363) |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1426DH-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1426DH-T1-GE3-FT |
DMTH6010SCT
Diodes Incorporated
DMNH6008SCT
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DMT6004SCT
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DMTH4005SCT
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DMTH6004SCT
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DMG4N65CT
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DMT6010SCT
Diodes Incorporated
2SK1119(F)
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2SK2866(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32-1TQ144M
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A3P125-1VQG100
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XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.