casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1422DH-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI1422DH-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI1422DH-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1422DH-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 8V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 725pF @ 6V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-70-6 (SOT-363) |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1422DH-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1422DH-T1-GE3-FT |
DMNH6008SCTQ
Diodes Incorporated
DMG4N60SCT
Diodes Incorporated
DMG9N65CT
Diodes Incorporated
DMTH6010SCT
Diodes Incorporated
DMNH6008SCT
Diodes Incorporated
DMT6004SCT
Diodes Incorporated
DMTH4005SCT
Diodes Incorporated
DMTH6004SCT
Diodes Incorporated
DMG4N65CT
Diodes Incorporated
DMT6010SCT
Diodes Incorporated
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel