casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1405DL-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI1405DL-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI1405DL-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1405DL-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 8V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 568mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-70-6 (SOT-363) |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1405DL-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1405DL-T1-E3-FT |
PSMN2R2-40PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN8R0-40PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R6-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30PL,127
Nexperia USA Inc.
DMTH6005LCT
Diodes Incorporated
DMTH10H010LCT
Diodes Incorporated
DMNH4005SCTQ
Diodes Incorporated
PSMN4R4-80PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-30PL,127
Nexperia USA Inc.
DMT4005SCT
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel