casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1405BDH-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI1405BDH-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI1405BDH-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1405BDH-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 8V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 4V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.47W (Ta), 2.27W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-70-6 (SOT-363) |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1405BDH-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1405BDH-T1-E3-FT |
PSMN4R5-40PS,127
Nexperia USA Inc.
DMT6005LCT
Diodes Incorporated
PSMN2R2-40PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN8R0-40PS,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R6-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30PL,127
Nexperia USA Inc.
DMTH6005LCT
Diodes Incorporated
DMTH10H010LCT
Diodes Incorporated
DMNH4005SCTQ
Diodes Incorporated
PSMN4R4-80PS,127
Nexperia USA Inc.
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel