casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1308EDL-T1-GE3
Número da peça de fabricante | SI1308EDL-T1-GE3 |
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Número da peça futura | FT-SI1308EDL-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1308EDL-T1-GE3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 132 mOhm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 105pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 400mW (Ta), 500mW (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-323 |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1308EDL-T1-GE3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1308EDL-T1-GE3-FT |
SIB414DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB415DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB417DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB419DK-T1-GE3
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SIB422EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB433EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB455EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB456DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB457EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB488DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
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LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
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A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel