casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1031X-T1-E3
Número da peça de fabricante | SI1031X-T1-E3 |
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Número da peça futura | FT-SI1031X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
SI1031X-T1-E3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 155mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 150mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±6V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-75A |
Pacote / caso | SC-75A |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1031X-T1-E3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SI1031X-T1-E3-FT |
SIB411DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB412DK-T1-E3
Vishay Siliconix
SIB412DK-T1-GE3
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SIB413DK-T1-GE3
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SIB414DK-T1-GE3
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SIB415DK-T1-GE3
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SIB417DK-T1-GE3
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SIB419DK-T1-GE3
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SIB422EDK-T1-GE3
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