casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / SH8M11TB1
Número da peça de fabricante | SH8M11TB1 |
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Número da peça futura | FT-SH8M11TB1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SH8M11TB1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N and P-Channel |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9nC @ 5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 85pF @ 10V |
Potência - Max | 2W |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SH8M11TB1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SH8M11TB1-FT |
IRF8852TRPBF
Infineon Technologies
NTQD4154ZR2
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NTQD6866R2
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PMWD16UN,518
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XCV405E-6FG676I
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