casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / SG2003J-JAN
Número da peça de fabricante | SG2003J-JAN |
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Número da peça futura | FT-SG2003J-JAN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SG2003J-JAN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 7 NPN Darlington |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Potência - Max | - |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 16-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 16-CDIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SG2003J-JAN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SG2003J-JAN-FT |
SLA6020
Sanken
SLA6024
Sanken
SLA6026
Sanken
SLA4030
Sanken
SLA4031
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SLA4041
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SLA4060
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SLA4061
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SLA4070
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SLA4071
Sanken
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel