casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02
Número da peça de fabricante | SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02 |
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Número da peça futura | FT-SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | EM-26 |
SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (pSLC) |
Tamanho da memória | 16Gb (2G x 8) |
Freqüência do relógio | 400MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | eMMC |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 153-LFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 153-LFBGA (11.5x13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02-FT |
W632GU6MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GU6MB-15
Winbond Electronics
W632GU6MB-15 TR
Winbond Electronics
W632GU6MB11I
Winbond Electronics
W632GU6MB12I
Winbond Electronics
W632GU6MB12I TR
Winbond Electronics
W632GU6MB15I
Winbond Electronics
W632GU6MB15I TR
Winbond Electronics
TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel