casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / SET100112
Número da peça de fabricante | SET100112 |
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Número da peça futura | FT-SET100112 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SET100112 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | - |
Tipo de Diodo | - |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 45A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 54A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 6µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SET100112 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SET100112-FT |
SCDAR4
Semtech Corporation
SCDAS15FF
Semtech Corporation
SCDAS2
Semtech Corporation
SCDAS4F
Semtech Corporation
SCDAS6
Semtech Corporation
SCNA05
Semtech Corporation
SCNA05F
Semtech Corporation
SCNA05FF
Semtech Corporation
SCNA1
Semtech Corporation
SCNA10FF
Semtech Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
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EP2AGX95EF35C6N
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